Samsung lanse 12nm Nivo 32GB DDR5 DRAM, sipòte jiska 128GB memwa modil
Dapre WCCFTech, Samsung te anonse lansman de premye solisyon DRAM 32GB nan mond lan ki baze sou teknoloji 12nm pwosesis, ki ka sipòte jiska 128GB nan modil memwa.
Se konsa, lwen, manifaktirè memwa tankou SK Hynix ak Micron te bay 24GB DDR5 DRAM, ki ka reyalize yon solisyon memwa 96GB, men Samsung te ogmante kapasite pa 33.3% ak yon solisyon nivo 12nm.An menm tan an, Micron te konfime tou lansman de 32GB DDR5 DRAM, men byen lwen tèlman sèlman yon plan te lage.
Samsung te anonse kòmansman pwodiksyon an mas nan 12nm nivo 16GB DDR5 DRAM nan mwa me ane sa a.Nouvo 12nm Nivo 32GB DDR5 DRAM la te planifye pou kòmanse pwodiksyon an mas nan fen ane sa a.
Samsung deklare ke ak yon 12nm nivo 32GB DRAM, yon solisyon ki ka reyalize jiska 1TB nan modil DRAM ka satisfè demann lan ap grandi pou-wo kapasite DRAM nan epòk la nan entèlijans atifisyèl.
Samsung devlope premye li yo 64KB DRAM nan 1983 e li te avèk siksè ogmante kapasite DRAM li yo pa 500000 fwa sou karant ane ki sot pase yo.
Dènye pwodwi memwa Samsung yo devlope lè l sèvi avèk pwosesis dènye kri ak teknoloji amelyore dansite entegrasyon ak optimize konsepsyon.Yo gen pi wo kapasite endistri a sèl dram chip ak bay de fwa kapasite a nan 16GB DDR5 dram nan gwosè a anbalaj menm.
Précédemment, DDR5 128GB modil DRAM manifaktire lè l sèvi avèk 16GB DRAM egzije pou yo sèvi ak Silisyòm nan twou (TSV) teknoloji.Koulye a, lè l sèvi avèk Samsung 32GB DRAM, 128GB modil yo ka pwodwi san yo pa itilize nan TSV teknoloji, pandan y ap diminye konsomasyon pouvwa pa sou 10% konpare ak 128GB modil lè l sèvi avèk 16GB DRAM.Zouti sa a teknolojik fè pwodwi sa a youn nan pi bon solisyon yo pou antrepriz efikasite enèji konsyan tankou sant done.
Baze sou 12nm nivo 32GB DDR5 DRAM a, Samsung plan yo kontinye agrandi segondè-kapasite li yo pwogramasyon pwodwi dram satisfè bezwen yo kounye a ak nan lavni nan informatique la ak IT endistri yo.Samsung pral reyafime pozisyon lidèchip li yo nan mache kap vini an DRAM jenerasyon pa bay 12nm Nivo 32GB DRAM a kliyan nan sant done, entèlijans atifisyèl, ak pwochen-jenerasyon aplikasyon pou informatique.
Samsung te anonse kòmansman pwodiksyon an mas nan 12nm nivo 16GB DDR5 DRAM nan mwa me ane sa a.Nouvo 12nm Nivo 32GB DDR5 DRAM la te planifye pou kòmanse pwodiksyon an mas nan fen ane sa a.
Samsung deklare ke ak yon 12nm nivo 32GB DRAM, yon solisyon ki ka reyalize jiska 1TB nan modil DRAM ka satisfè demann lan ap grandi pou-wo kapasite DRAM nan epòk la nan entèlijans atifisyèl.
Samsung devlope premye li yo 64KB DRAM nan 1983 e li te avèk siksè ogmante kapasite DRAM li yo pa 500000 fwa sou karant ane ki sot pase yo.
Dènye pwodwi memwa Samsung yo devlope lè l sèvi avèk pwosesis dènye kri ak teknoloji amelyore dansite entegrasyon ak optimize konsepsyon.Yo gen pi wo kapasite endistri a sèl dram chip ak bay de fwa kapasite a nan 16GB DDR5 dram nan gwosè a anbalaj menm.
Précédemment, DDR5 128GB modil DRAM manifaktire lè l sèvi avèk 16GB DRAM egzije pou yo sèvi ak Silisyòm nan twou (TSV) teknoloji.Koulye a, lè l sèvi avèk Samsung 32GB DRAM, 128GB modil yo ka pwodwi san yo pa itilize nan TSV teknoloji, pandan y ap diminye konsomasyon pouvwa pa sou 10% konpare ak 128GB modil lè l sèvi avèk 16GB DRAM.Zouti sa a teknolojik fè pwodwi sa a youn nan pi bon solisyon yo pou antrepriz efikasite enèji konsyan tankou sant done.
Baze sou 12nm nivo 32GB DDR5 DRAM a, Samsung plan yo kontinye agrandi segondè-kapasite li yo pwogramasyon pwodwi dram satisfè bezwen yo kounye a ak nan lavni nan informatique la ak IT endistri yo.Samsung pral reyafime pozisyon lidèchip li yo nan mache kap vini an DRAM jenerasyon pa bay 12nm Nivo 32GB DRAM a kliyan nan sant done, entèlijans atifisyèl, ak pwochen-jenerasyon aplikasyon pou informatique.